光洋应用材料科技股份有限公司陈美涵获国家专利权
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龙图腾网获悉光洋应用材料科技股份有限公司申请的专利铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114853447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110156495.7，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜是由陈美涵;谢承谚;刘砚鸣设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜在说明书摘要公布了：本发明提供一种铟锆硅氧化物靶材，其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相。藉由控制铟锆硅氧化物靶材所包含的结晶相，可使铟锆硅氧化物靶材维持高相对密度并具有低于4×10‑3奥姆‑厘米的平均体电阻率，从而显著降低直流溅镀期间发生的电弧放电次数。本发明另提供上述铟锆硅氧化物靶材的制作方法，其是将硅酸锆粉末及三氧化二铟粉末于真空环境下利用热压烧结的方式制备铟锆硅氧化物靶材，借以防止铟锆硅氧化物靶材产生双硅酸二铟结晶相。本发明亦提供一种铟锆硅氧化物薄膜，其是利用本发明的铟锆硅氧化物靶材经直流溅镀法溅镀而成。
本发明授权铟锆硅氧化物靶材及其制法及铟锆硅氧化物薄膜在权利要求书中公布了：1.一种铟锆硅氧化物靶材，其特征在于，其包含硅酸锆结晶相及三氧化二铟结晶相；该铟锆硅氧化物靶材不包含双硅酸二铟结晶相；其中，所述铟锆硅氧化物靶材中，硅的原子数相对于铟、锆及硅的原子总数的比值大于或等于0.11且小于或等于0.26，以及，锆的原子数相对于铟、锆及硅的原子总数的比值大于或等于0.11且小于0.20。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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