恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈焕能获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利波导结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113703090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110260108.4，技术领域涉及：G02B6/10；该发明授权波导结构及其形成方法是由陈焕能;郭丰维;徐敏翔;卓联洲;周淳朴;廖文翔设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本波导结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方，且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。
本发明授权波导结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光学衰减结构，其包括：衬底；波导，其沿所述衬底延伸；第一掺杂区，其放置于所述衬底上方且沿所述波导延伸；第二掺杂区，其与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离；第一电极，其沿所述衬底且在所述第一掺杂区中延伸；第二电极，其沿所述衬底且在所述第二掺杂区中延伸；第一光学衰减部件，其与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间，其中所述第一光学衰减部件沿所述波导的纵向方向具有不同宽度；及电介质层，其放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述第一掺杂区及所述第二掺杂区及所述第一光学衰减部件。
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