錼创显示科技股份有限公司曾彦钧获国家专利权
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龙图腾网获悉錼创显示科技股份有限公司申请的专利微型发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113193093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110458871.8，技术领域涉及：H01L33/46；该发明授权微型发光元件是由曾彦钧;林子旸;吴俊德;史诒君设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型发光元件，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一型电极与第二型电极以及光反射层。发光层设置于第一型半导体层上。第二型半导体层设置于发光层上。第一型电极与第二型电极皆设置于第二型半导体层上。光反射层设置于发光层与第一型电极之间。光反射层包括氧化区域与非氧化区域，氧化区域的反射率大于非氧化区域的反射率。氧化区域的一部分于第一型半导体层上的正投影与第一型电极于第一型半导体层上的正投影至少部分重叠。
本发明授权微型发光元件在权利要求书中公布了：1.一种微型发光元件，其特征在于，包括：第一型半导体层；发光层，设置于所述第一型半导体层上；第二型半导体层，设置于所述发光层上；第一型电极与第二型电极，皆设置于所述第二型半导体层上；穿孔，穿过所述第二型半导体层并延伸至部分的所述第一型半导体层；以及光反射层，设置于所述发光层与所述第一型电极之间，其中所述光反射层包括氧化区域与非氧化区域，所述氧化区域的反射率大于所述非氧化区域的反射率，其中所述氧化区域的一部分于所述第一型半导体层上的正投影与所述第一型电极于所述第一型半导体层上的正投影至少部分重叠，其中所述第二型电极经由所述穿孔连接所述第一型半导体，所述氧化区域的电阻值大于所述非氧化区域的电阻值，且所述非氧化区域于所述第一型半导体层上的正投影不与所述第二型电极于所述第一型半导体层上的正投影重叠。
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