恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司高冬子获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110685607.8，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管是由高冬子设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及显示技术领域。薄膜晶体管的制备方法包括在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。该制备方法能够改善2W2D工艺、减少蚀刻次数、提高生产效率。
本发明授权一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的制备方法包括：通过PVD技术或磁控溅射沉积、光罩工艺蚀刻在玻璃基板上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层、半导体层、金属层，所述半导体层包括有源层和欧姆接触层；沉积光阻，曝光、显影，形成图案化的光阻；三步蚀刻工艺，其中所述三步蚀刻工艺中的第一步蚀刻工艺包括：利用酸溶液湿法蚀刻裸露的金属层；所述三步蚀刻工艺中的第二步蚀刻工艺包括：干法蚀刻裸露的有源层和裸露的欧姆接触层；以及灰化光阻；所述三步蚀刻工艺中的第三步蚀刻工艺为同道蚀刻工艺，在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻所述薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，所述含氟离子酸溶液中氟离子的质量百分比浓度为0.1～2％，所述欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号