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龙图腾网恭喜南通大学申请的专利一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113716555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935921.7，技术领域涉及：C01B32/198；该发明授权一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计是由张诗俊;仲崇贵;耿晨铎;董正超设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其设计方案包括：基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，通过对设计的结构施加双轴应变调控能带结构得到需要的能隙，从而实现石墨烯在半导体领域的应用，本发明具有结构简单、操作方便，易于加工、能隙可控的特点，不仅可应用于光伏、能源、还适用于微电子器件，具有非常广的应用前景。

本发明授权一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其特征在于：所述设计方案包括如下步骤：步骤一、基材选取为了满足纳米多功能半导体器件的低维度、小尺度的设计要求，选择二维单层的氧化石墨烯作为基材，但氧化石墨烯无能隙，选用Fe原子作为插层材料；步骤二、键合设计：氧化石墨烯中的C构成六角蜂窝状结构，平面内的C通过sp2杂化共价结合；相邻pz轨道电子通过大Π键合，石墨烯氧化后，大Π键被破坏，O在C原子的上下位置与C键合，与氢化石墨烯一样，O与C间形成化学吸附，C原子间通过sp3轨道杂化键合，因而C原子平面存在很大的褶皱；这样O平面关于C原子层成对称性分布，即次近邻的C原子与O在同一侧形成共价键；步骤三、Fe原子插层结构设计：利用MaterialsStudio2019和VESTA可视化结构绘图软件，模拟构建Fe插层氧化石墨烯晶体结构，利用VASP软件程序包进行插层后初步的结构优化，计算得到Fe的最佳吸附位置，由于Fe的插入，Fe与O之间发生电荷转移，故Fe在氧化石墨烯中的物理吸附最终转变为化学吸附，构成C2O2Fe的化学单元，Fe离子为-2价，晶体属于离子键和共价键共存的晶体薄膜，能隙打开；步骤四、应变：将Fe插层的氧化石墨烯单层薄膜固定于晶格匹配的衬底，通过外加二维双轴机械应力作用于衬底，对氧化石墨烯单层薄膜施加应变。

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