恭喜北京大学肖云峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利片上光学微腔系统及其光场调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114498269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111563510.6，技术领域涉及：H01S3/093；该发明授权片上光学微腔系统及其光场调控方法是由肖云峰;钱焰军;曹启韬;龚旗煌设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上光学微腔系统及其光场调控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳光学技术领域，提供一种片上光学微腔系统及其光场调控方法，片上光学微腔系统包括非圆形光学微腔、剪裁体和芯片；其中，所述非圆形光学微腔和所述剪裁体均集成在所述芯片上，且所述剪裁体位于所述非圆形光学微腔的内部；所述非圆形光学微腔的形状为二维的盘状，用二维极坐标描述为本发明通过在集成于芯片上的非圆形光学微腔内部插入剪裁体，对应在相空间中对不同传输结构进行针对性调控，从而对非圆形光学微腔的光学模式进行精准改变。有效解决现有技术中只能通过改变非圆形光学微腔的边界来调控微腔光场，无法对相空间中的特定结构进行精密操控的问题。
本发明授权片上光学微腔系统及其光场调控方法在权利要求书中公布了：1.一种片上光学微腔系统，其特征在于，包括：非圆形光学微腔、剪裁体和芯片；其中，所述非圆形光学微腔和所述剪裁体均集成在所述芯片上，且所述剪裁体位于所述非圆形光学微腔的内部，对应在相空间中对不同传输结构进行针对性调控，以对所述非圆形光学微腔的光学模式进行精准改变；所述非圆形光学微腔的形状为二维的盘状，用二维极坐标描述为Rφ＝R01+Σn∈N+ancosnφ；式中，φ为角向参数，且满足0≤φ≤2π；n为正整数且1≤n≤6；an为系数且满足-0.3≤an≤0.3；R0为半径，且满足1μm≤R0≤1000μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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