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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114318504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111678897.X，技术领域涉及：C30B15/14；该发明授权一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法是由李早阳;李建铖;蒋馥蔓;刘立军设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法，该装置包括多层阿基米德螺线型线圈，由钨或钼等高熔点且导电性良好的材料制成，在生长晶体的坩埚外围沿轴向依次排列。通过改变该热磁耦合加热装置中多层螺线型线圈的连接方式，可以获得不同的加热功率和不同类型及大小的磁场。多层螺线型线圈通以方向相同的电流时，可以产生轴向磁场；不同层通以方向相反的电流时，可以产生勾型磁场；加热功率及磁场类型和大小可在晶体生长过程中根据需要实时调控。该热磁耦合加热装置同时具备加热和磁场调控双重功能，既能够产生强磁场以改善晶体生长条件，又能够避免设置外置磁场带来的高成本及高能耗。

本发明授权一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法在权利要求书中公布了：1.一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置，其特征在于：包括多层螺线型线圈，所述多层螺线型线圈在生长晶体的坩埚外围沿轴向依次排列，每层螺线型线圈的形状为阿基米德螺旋线，每层螺线型线圈的转数多于1转，每层的转数相同或者不同，各转在同一平面沿径向排列；螺线型线圈材料采用熔点不低于1000℃的钨丝或钼丝金属导电材料制成，在提供晶体生长所需加热功率的同时，产生上千高斯的轴向磁场或勾型磁场以调控熔体流动和晶体生长；所述螺线型线圈的起点与中心的距离由晶体生长所用坩埚半径决定，螺线型线圈的半径大于坩埚的半径至少10mm，相邻两层阿基米德螺线型线圈的距离为5-25mm；每层螺线型线圈上设有接线柱，螺线型线圈通过接线柱接入电流回路，实现不同层线圈通不同大小的电流，满足复杂的磁场设计；不同螺线型线圈之间采用串联或并联的连接方式；通过控制接入电源的线圈个数、不同线圈之间的间距、线圈的半径、每层线圈的转数以及线圈中通入电流的大小来调节磁场强度和加热功率的大小，可以满足晶体生长对磁场类型和强度的需求；所述螺线型线圈沿着坩埚外围轴向分为上下两部分，当每层螺线型线圈通以方向相同的电流时，加热装置内部产生轴向磁场；当上下两部分螺线型线圈通以方向相反的电流时，加热装置内部产生勾型磁场。

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