恭喜东北大学李犁获国家专利权
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龙图腾网恭喜东北大学申请的专利一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210194106.4，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用是由李犁;王颖;王淑兰设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用，属于电池材料领域。一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体氮掺杂rGO复合材料，所述复合材料是由氮掺杂rGO纳米片和沉积在其表面的磷酸根离子掺杂的SnS纳米片组成，其中，所述掺杂的SnS晶体具有SnS晶体结构，PO43‑嵌入SnS晶格层间，Sn与O、O与P通过共价键键合。本发明使用植酸注入到SnS晶格中，实现SnS本征电子电导率的显著提高，同时有效缓解SnS晶体在钠离子嵌入脱出时带来的体积膨胀问题。
本发明授权一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体/氮掺杂rGO复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种磷酸根离子掺杂的SnS晶体氮掺杂rGO复合材料，其特征在于：所述复合材料是由氮掺杂rGO纳米片和沉积在其表面的磷酸根离子掺杂的SnS纳米片组成，其中，所述掺杂的SnS晶体具有SnS晶体结构，PO43-嵌入SnS晶格层间，Sn与O、O与P通过共价键键合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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