恭喜中国科学院近代物理研究所卢子伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院近代物理研究所申请的专利一种大面积13C同位素靶的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115287616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926032.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种大面积13C同位素靶的制备方法是由卢子伟;刘凤琼;朱亚滨;张宏斌;李海霞;李荣华;王秀华;陈翠红;李占奎设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积13C同位素靶的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中，抽真空，采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜，得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶，制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm，并且由于本方法采用的是磁控溅射法，磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm，而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右，因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。
本发明授权一种大面积13C同位素靶的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大面积13C同位素靶的制备方法，包括如下步骤：1）采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；2）将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中，抽真空，采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜，得到所需大面积13C同位素靶；所述背靶材为石墨纸。
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