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龙图腾网恭喜北京理工大学;中国原子能科学研究院申请的专利一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115612954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211296855.4，技术领域涉及：C22F1/18；该发明授权一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法是由靳柯;董亚光;王本鹏;薛云飞;贺新福;豆艳坤设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，属于高熵合金制备技术领域。该方法是在Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板的两个表面固定纯Zr板或者纯Zr箔，然后在惰性气体保护气氛下进行高温处理，利用Zr的吸收作用使Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr‑CNO相，从而降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量，由于Zr‑CNO相并不是作为第二相分布在难熔高熵合金板中，而且Zr在难熔高熵合金板表面的扩散层厚度也很小，不会对难熔高熵合金板的组织与力学性能产生不利影响。

本发明授权一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：先将Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的表面打磨平整并清洗干净，然后将纯Zr板或者纯Zr箔分别固定在Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板的两个表面，再在惰性气体保护气氛下进行高温热处理，在高温热处理的过程中利用Zr的吸收作用使Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr-CNO相，从而降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量，得到表面含有Zr包覆层的均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板；或者，除去含有Zr包覆层的均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板表面的Zr包覆层，则得到均匀态Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金板。

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