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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种高可靠反熔丝开关单元结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116505927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310468698.9，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种高可靠反熔丝开关单元结构是由李幸和;刘国柱;魏轶聃;刘佰清;于宗光;魏敬和设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠反熔丝开关单元结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件所述第二反熔丝器件的编程形成开态，与第一高压NMOS管第二高压NMOS管构成通路，实现编程电压VPP信号对信号传输NMOS管的栅极电位控制，进而实现信号传输NMOS管开关态。本发明开关单元结构简单，兼容于CMOS工艺，具有良好高可靠和抗辐射特性，可应用于高可靠、抗辐射可编程逻辑器件和存储器。

本发明授权一种高可靠反熔丝开关单元结构在权利要求书中公布了：1.一种高可靠反熔丝开关单元结构，其特征在于，包括：第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件所述第二反熔丝器件的编程形成开态，与第一高压NMOS管第二高压NMOS管构成通路，实现编程电压VPP信号对信号传输NMOS管的栅极电位控制，进而实现信号传输NMOS管开关态；所述第一反熔丝器件和所述第二反熔丝器件分别包括上电极和下电极，所述第一反熔丝器件的上电极与所述第一高压NMOS管的源端相连接；所述第二反熔丝器件的上电极与第二高压NMOS管的源端相连接；所述第一反熔丝器件的下电极和所述第二反熔丝器件的下电极同时与所述第三高压NMOS管的漏端、旁路二极管的负极以及信号传输NMOS管的栅极相连接；所述旁路二极管的正极接地；所述高压NMOS管的源端接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。