恭喜湖北江城芯片中试服务有限公司李赟获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310681725.0，技术领域涉及：H01L27/146；该发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件是由李赟设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。半导体结构包括：衬底；至少两个隔离结构，至少部分隔离结构位于衬底中；有源区，位于相邻的两个隔离结构之间且位于衬底中，包括：沟道；栅极，包括：第一部分和第二部分；其中，第一部分位于沟道之上；第二部分位于相邻的两个隔离结构中的至少一个与沟道之间；栅介质层，位于栅极和沟道之间。
本发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成覆盖所述衬底的缓冲层；形成至少两个隔离结构，所述隔离结构贯穿所述缓冲层和部分所述衬底；形成有源区，所述有源区位于相邻的两个所述隔离结构之间且位于所述衬底中；其中，所述有源区包括沟道；形成覆盖所述缓冲层和所述隔离结构的光阻层；在所述光阻层中形成开口；其中，所述开口显露覆盖所述沟道的所述缓冲层和相邻的两个所述隔离结构中的至少一个的部分；对显露的所述缓冲层和所述隔离结构执行掺杂处理；形成栅极；其中，所述栅极包括第一部分和第二部分；所述第一部分位于所述沟道之上；所述第二部分位于相邻的两个所述隔离结构中的至少一个与所述沟道之间；在所述栅极和所述沟道之间形成栅介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城芯片中试服务有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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