恭喜浙江华显光电科技有限公司樊健获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江华显光电科技有限公司申请的专利一种窄发射发光化合物及在电子器件中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116514859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310753983.5，技术领域涉及：C07F5/02；该发明授权一种窄发射发光化合物及在电子器件中的应用是由樊健;张磊;高春吉;申屠晓波;刘运起设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄发射发光化合物及在电子器件中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及有机电致发光技术领域，特别涉及一种窄发射发光材料及其包含该化合物的有机电致发光器件。本发明的窄发射发光材料具有如下式I所示的结构，以大位阻基团抑制平面含硼和氮发光基团之间的相互作用，减少由于发光分子聚集引起的淬灭效应，从而实现高荧光量子产率和器件效率。本发明窄发射发光材料可以用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料，用于提升器件的发光效率和寿命。
本发明授权一种窄发射发光化合物及在电子器件中的应用在权利要求书中公布了：1.一种窄发射发光化合物，其特征在于，所述发光化合物具有如下式I所示结构： 式I中，所述A选自式2或式3所示的结构基团，结构基团中氢原子可以部分氘代或全部氘代： 其中，所述R5、R6各自独立地选自苯基、甲苯基、联苯基、叔丁基苯基、吡啶、咔唑基或二苯基三嗪；R1-R4各自独立地选自氢、氘、甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、苯基、联苯基、叔丁基联苯、叔丁基苯、吡啶基、苯基吡啶、芳氨基、二苯胺基中的一种或至少两种的组合；Z1-Z5各自独立地表示为N或CR，所述R独立地选自氢、C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C6～C30芳基、C6～C30杂芳基中的一种或至少两种的组合。
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