恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司卢俊玮获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116564894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310752949.6，技术领域涉及：H01L21/8234；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由卢俊玮;王旭东;余义祥;徐华超设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体制造技术领域。且所述半导体结构包括：半导体器件层；金属层，设置在半导体器件层上；介质层，设置在金属层上，且介质层上设置有预处理沟槽；第一硬掩膜部，设置在介质层上；以及第二硬掩膜部，设置在预处理沟槽内，第二硬掩膜部贴附在介质层的侧壁上，第二硬掩膜部的宽度沿着靠近金属层的方向依次增大。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够稳定地获得更小的关键尺寸。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体器件层；金属层，设置在所述半导体器件层上；隔离通道，穿过所述金属层，并将所述金属层划分为多个金属布线，且所述隔离通道的侧壁具有垂直形貌；介质层，设置在所述金属层上，且所述介质层上设置有预处理沟槽；其中在形成所述隔离通道前，所述介质层上设置硬掩膜层，且所述硬掩膜层包括：第一硬掩膜部，设置在所述介质层上；以及第二硬掩膜部，设置在所述预处理沟槽内，所述第二硬掩膜部贴附在所述介质层的侧壁上，所述第二硬掩膜部的宽度沿着靠近所述金属层的方向依次增大，其中在蚀刻所述硬掩膜层的拐角部后，将所述硬掩膜层的拐角部转移至所述预处理沟槽中，形成所述第二硬掩膜部和所述第一硬掩膜部；在形成所述隔离通道的步骤中，在蚀刻移除所述第一硬掩膜部和所述第二硬掩膜部的同时，以所述第一硬掩膜部和所述第二硬掩膜部为掩膜，蚀刻所述金属层，形成所述金属布线和所述隔离通道。
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