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龙图腾网恭喜南京航空航天大学申请的专利一种并联馈电型多功能有源频率选择表面及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106785467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201611253824.5，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种并联馈电型多功能有源频率选择表面及其控制方法是由李黄炎;曹群生;王毅设计研发完成，并于2016-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种并联馈电型多功能有源频率选择表面及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种并联馈电型多功能有源频率选择表面及其控制方法，有源频率选择表面包含介质基底和正交排布在介质基底两侧的金属周期阵列；金属周期阵列包括若干个呈周期性排布的金属单元；金属单元呈正方形，包含两个金属细线结构、两个金属T型结构和二极管，其中，两个金属细线结构平行设置，两个金属T型结构的横边平行设置，竖边通过二极管连成一条直线。金属周期阵列中，同一排的相邻金属单元中二极管的方向相反，同一列的金属单元中二极管的方向相同。介质一侧的金属周期阵列加载变容二极管，另一侧的金属周期阵列加载PIN二极管。本发明集频率调谐与电磁开关功能于一体，能更为主动操控电磁波，在电磁隐身、电磁兼容等方面都有重要的应用前景。

本发明授权一种并联馈电型多功能有源频率选择表面及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种并联馈电型多功能有源频率选择表面的控制方法，所述并联馈电型多功能有源频率选择表面包括介质基底、设置在介质基底上侧的第一金属周期阵列、以及设置在介质基底下侧的第二金属周期阵列；所述第一金属周期阵列包括若干个呈周期性阵列分布的第一金属单元；所述第一金属单元呈正方形，包含两个金属细线结构、两个金属T型结构和一个变容二极管，其中，所述两个金属细线结构平行设置在第一金属单元正方形的两条边上；所述两个金属T型结构均包含一条横边和一条垂直设置在所述横边中点上的竖边，两个金属T型结构的横边平行设置在第一金属单元正方形的另外两条边上，且两个金属T型结构的竖边通过所述变容二极管连成一条直线；所述第一金属周期阵列中相邻的第一金属单元对应相连，且同一排的相邻第一金属单元中变容二极管方向的相反，同一列的第一金属单元中变容二极管的方向相同；所述第二金属周期阵列包括若干个呈周期性阵列分布的第二金属单元；所述第二金属单元呈正方形，包含两个金属细线结构、两个金属T型结构和一个PIN二极管，其中，所述两个金属细线结构平行设置在第二金属单元正方形的两条边上；所述两个金属T型结构均包含一条横边和一条垂直设置在所述横边中点上的竖边，两个金属T型结构的横边平行设置在第二金属单元正方形的另外两条边上，且两个金属T型结构的竖边通过所述PIN二极管连成一条直线；所述第二金属周期阵列中相邻的第二金属单元对应相连，且同一排的相邻第二金属单元中PIN二极管方向的相反，同一列的第二金属单元中PIN二极管的方向相同；所述介质基底上侧的金属周期阵列和介质基底下侧的金属周期阵列呈正交排列；其特征在于，所述并联馈电型多功能有源频率选择表面的控制方法包含以下步骤：在介质基底上侧第一金属周期阵列中各个变容二极管上加载反向并联偏置电压，在介质基底下侧第二金属周期阵列中各个PIN二极管上加载正向并联偏置电压；如果需要并联馈电型多功能有源频率选择表面实现TM极化下的频率调谐功能，则调整介质基底上侧第一金属周期阵列中变容二极管的反向并联偏置电压；如果需要增大并联馈电型多功能有源频率选择表面的工作频率，则减小介质基底上侧第一金属周期阵列中变容二极管的反向并联偏置电压，如果需要降低并联馈电型多功能有源频率选择表面的工作频率，则增加介质基底上侧第一金属周期阵列中变容二极管的反向并联偏置电压；如果需要并联馈电型多功能有源频率选择表面实现TE极化下的电磁开关功能，则调整介质基底下侧第二金属周期阵列中PIN二极管的正向并联偏置电压；如果需要并联馈电型多功能有源频率选择表面实现TE极化下的电磁关功能，则调整介质基底下侧第二金属周期阵列的正向并联偏置电压，使得所有的PIN二极管处于导通状态，如果需要并联馈电型多功能有源频率选择表面实现TE极化下的电磁开功能，则调整介质基底下侧第二金属周期阵列的正向并联偏置电压，使得所有的PIN二极管处于断开状态。

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