恭喜山西中科潞安紫外光电科技有限公司王晓东获国家专利权
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龙图腾网恭喜山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种纳米级图形化衬底及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107863428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711011477.X，技术领域涉及：H01L33/20；该发明授权一种纳米级图形化衬底及其制作方法是由王晓东;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强设计研发完成，并于2017-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米级图形化衬底及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米级图形化衬底及其制作方法，通过在蓝宝石衬底上溅射AlN层，然后将AlN层经过退火后，再在退火后的AlN层上形成纳米图案，从而制作得到。此种衬底具有制作工艺简单、成本低廉，能够大幅提高AlN晶体质量和UV‑LED深紫外发光二极管出光效率等特点，是以后生长深紫外LED的必备产品。
本发明授权一种纳米级图形化衬底及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米级图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一、在蓝宝石平面衬底上溅射10-800nm厚度区间的溅射AlN层；步骤二、将溅射好的衬底放入高温退火炉中，退火温度1400-1600℃，AlN薄膜的退火温度高于其生长温度；退火环境为氮气气氛；退火30-120min；退火后的AlN层表面形成团簇；而在团簇之间会形成势能低点以及粗糙的界面；步骤三、在退火后的衬底的AlN薄膜层上通过纳米压印设备或者纳米球曝光形成纳米图案，然后制作成纳米图形衬底；步骤四、通过MOCVD设备，在高温环境中在所述纳米图形衬底上生长AlN单晶、AlGaN晶体或UV-LED结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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