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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种双闭环直流电机控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108233798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810081474.1，技术领域涉及：H02P7/28；该发明授权一种双闭环直流电机控制电路是由赵磊;谭洁;张国银;李恒;刘昌昊;陈宝明;母德浪设计研发完成，并于2018-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双闭环直流电机控制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双闭环直流电机控制电路，属于电机控制领域。本发明包括不可控整流电路、转速给定及比例积分电路、电流环比例积分电路、电机H桥控制电路、大功率可控硅驱动电路、PWM发生电路；所述转速给定及比例积分电路、电流环比例积分电路、PWM发生电路、大功率可控硅驱动电路、电机H桥控制电路依次连接，不可控整流电路与电机H桥控制电路连接；本发明通过对电机的转速和电流的采样反馈，利用转速环和电流环双闭环控制电路对直流电机进行控制，大幅度减小了控制芯片的控制难度，双闭环控制降低了能耗的同时提高了控制精度，所以对芯片的运算速度要求也降低了。

本发明授权一种双闭环直流电机控制电路在权利要求书中公布了：1.一种双闭环直流电机控制电路，其特征在于：包括不可控整流电路1、转速给定及比例积分电路2、电流环比例积分电路3、电机H桥控制电路4、大功率可控硅驱动电路5、PWM发生电路6；所述转速给定及比例积分电路2、电流环比例积分电路3、PWM发生电路6、大功率可控硅驱动电路5、电机H桥控制电路4依次连接，不可控整流电路1与电机H桥控制电路4连接；所述不可控整流电路1包括接线端子L1、L2、L3、单刀三掷开关Q、二极管VD1、VD2、VD3、VD4、VD5、VD6、电容C1；所述接线端子L1、L2、L3通过单刀三掷开关分别与二极管VD3、VD2、VD1的阳极连接，同时，二极管VD3、VD2、VD1的阳极分别还与二极管VD6、VD5、VD4的阴极连接；二极管VD3、VD2、VD1的阴极和电容C1的正极连接后，通过按键K与电机H桥控制电路4的IGBT管V1的集电极连接；二极管VD6、VD5、VD4的阳极和电容C1的负极连接后，同时与电机H桥控制电路4的IGBT管V3的发射极连接；所述转速给定及比例积分电路2包括电位器RW1、RW2、RW3、RW4、电阻R14、R15、R16、R17、R18、R19、电容C8、C9、C10、运算放大器A1、转速传感器TG；所述电位器RW1的一端与电源+15V连接，另一端与电位器RW2的一端连接后接地，电位器RW2的另一端与电源-15V连接，电阻R14的一端通过单刀双掷开关Q2分别与电位器RW1、RW2的滑动端连接，电阻R14的另一端与电阻R15的一端连接后通过电容C8接地，电阻R15的另一端与运算放大器A1的反向输入端连接；转速传感器TG的一端通过电阻R16与电位器RW4的一端连接，电位器RW4的另一端与转速传感器TG的另一端连接后接地；电位器RW4的滑动端与电阻R17的一端连接，电阻R17的另一端与电阻R18的一端连接后通过电容C10接地，电阻R18的另一端与运算放大器A1的反向输入端连接；运算放大器A1的同向输入端通过电阻R19接地；运算放大器A1的反向输入端同时连接着电位器RW3的一端，电位器RW3的另一端与其滑动端连接后通过电容C9与运算放大器A1的输出端连接，运算放大器A1的输出端同时连接着电流环比例积分电路3中的电阻R20的一端；所述电流环比例积分电路3包括电阻R20、R21、R22、R23、R24、R25、电位器RW5、RW6、电容C11、C12、C13、电流传感器TA、运算放大器A2；所述电阻R20的另一端与电阻R21连接后通过电容C11接地，电阻R21的另一端与运算放大器A2的反向输入端连接；电流传感器TA的一端通过电阻R22与电位器RW6的一端连接，电位器RW6的另一端与电流传感器TA的另一端连接后接地；电位器RW6的滑动端与电阻R23的一端连接，电阻R23的另一端与电阻R24的一端连接后通过电容C13接地，电阻R24的另一端与运算放大器A2的反向输入端连接；运算放大器A2的同向输入端通过电阻R25接地；运算放大器A2的反向输入端同时连接着电位器RW5的一端，电位器RW5的另一端与其滑动端连接后通过电容C12与运算放大器A2的输出端连接，运算放大器A2的输出端同时连接着PWM发生电路6中的TL494固定频率脉宽调制芯片的FB端；所述电机H桥控制电路4包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、稳压管DZ1、DZ2、DZ3、DZ4、IGBT管V1、V2、V3、V4、二极管VD7、VD8、VD9、VD10、电容C2、C3、C4、C5、按键K、电机M；所述电阻R1与按键K并联后一端与不可控整流电路1的输出正端连接，另一端与IGBT管V1的集电极连接，IGBT管V1的栅极同时与电阻R2的一端、电阻R3的一端、稳压管DZ1的阴极连接，电阻R2的另一端与大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片Ⅰ的HO端连接，电阻R3的另一端、稳压管DZ1的阳极同时与IGBT管V1的发射极连接；电阻R4与电容C2的正极串联后并联在IGBT管V1的集电极和发射极之间；同时IGBT管V1的集电极还与IGBT管V2的集电极连接，IGBT管V1的发射极还与IGBT管V3的集电极、电机M的一端、大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片Ⅰ的VS端连接；IGBT管V3的栅极同时与电阻R8的一端、电阻R9的一端、稳压管DZ3的阴极连接，电阻R8的另一端与大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片Ⅰ的LO端连接，电阻R9的另一端、稳压管DZ3的阳极同时与IGBT管V3的发射极连接；电阻R10与电容C4的正极串联后并联在IGBT管V3的集电极和发射极之间；同时IGBT管V3的发射极还与IGBT管V4的发射极连接；IGBT管V2的栅极同时与电阻R7的一端、电阻R6的一端、稳压管DZ2的阴极连接，电阻R7的另一端与大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片II的HO端连接，电阻R6的另一端、稳压管DZ2的阳极同时与IGBT管V2的发射极连接；电阻R5与电容C3的正极串联后并联在IGBT管V2的集电极和发射极之间；同时IGBT管V2的发射极还与IGBT管V4的集电极、电机M的另一端、大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片II的VS端连接；IGBT管V4的栅极同时与电阻R13的一端、电阻R12的一端、稳压管DZ4的阴极连接，电阻R13的另一端与大功率可控硅驱动电路5的FA5650N高边低边驱动芯片II的LO端连接，电阻R12的另一端、稳压管DZ4的阳极同时与IGBT管V4的发射极连接；电阻R11与电容C5的正极串联后并联在IGBT管V4的集电极和发射极之间；二极管VD7、VD8、VD9、VD10的阴极分别与IGBT管V1、V2、V3、V4的集电极连接，阳极分别与IGBT管V1、V2、V3、V4的发射极连接。

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