安华高科技股份有限公司S·叶尔丹迪获国家专利权
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龙图腾网获悉安华高科技股份有限公司申请的专利III-V衬底上的高介电常数电容器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109148422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810505623.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权III-V衬底上的高介电常数电容器结构是由S·叶尔丹迪;P·尼克尔;T·邓甘;J·阿布罗克华设计研发完成，并于2018-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本III-V衬底上的高介电常数电容器结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种III‑V衬底上的高介电常数电容器结构。一种半导体结构包含III‑V半导体结构；第一电极；安置于所述第一电极上方的第一阻挡层；安置于所述第一电极上方的第一粘附层；安置于所述第一粘附层上方的第一钝化层；安置于所述第一钝化层上方的介电层；安置于所述介电层上方的第二钝化层；安置于所述第二钝化层上方的第二粘附层；安置于所述第二粘附层上方的第二阻挡层；以及安置于所述第二阻挡层上方的第二电极。
本发明授权III-V衬底上的高介电常数电容器结构在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其包括：第一电极；第一铂钝化层，其安置于所述第一电极上方；第一粘附层，其安置于所述第一铂钝化层上方；第一阻挡层，其安置于所述第一粘附层上方；介电层，其包括非晶形五氧化二钽Ta2O5或非晶形二氧化铪HfO2且安置于所述第一阻挡层上方；第二阻挡层，其安置于所述介电层上方；第二粘附层，其安置于所述第二阻挡层上方；第二铂钝化层，其安置于所述第二粘附层上方；以及第二电极，其安置于所述第二铂钝化层上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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