世界先进积体电路股份有限公司廖志成获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110690116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810728564.5，技术领域涉及：H01L21/336；该发明授权半导体结构及其制造方法是由廖志成;马洛宜·库马;李家豪;周仲德;梁雅涵设计研发完成，并于2018-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其中，该制造方法包括：提供基板，注入基板以形成高压阱，具有第一导电类型，形成一对漏极飘移区于高压阱中，其中漏极飘移区位于基板的前侧，且漏极飘移区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；及形成栅极电极嵌入高压阱中，其中栅极电极位于漏极飘移区之间，且与漏极飘移区横向相隔。本发明实施例提供一种高压器件，其栅极电极嵌入基板中。嵌入栅极使高压器件缩小，以降低导通电阻，而不影响击穿电压及阈值电压。嵌入栅极与现有的制造工艺相容，适用于各种高压器件例如双扩散金属氧化物半导体、横向扩散金属氧化物半导体、及延伸扩散金属氧化物半导体。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；注入该基板以形成一高压阱，具有一第一导电类型；形成一对漏极漂移区于该高压阱中，其中该对漏极漂移区位于该基板的一前侧，且该对漏极漂移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；及形成一栅极电极嵌入该高压阱中，其中该栅极电极位于该对漏极漂移区之间，且通过该高压阱与该对漏极漂移区横向相隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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