南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司王亮获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110504937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910797254.3，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法是由王亮;程凯;于洪宇设计研发完成，并于2019-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
本发明授权一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底一侧形成缓冲层；在所述缓冲层上制作牺牲层；在所述牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在所述缓冲层、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层；在所述氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔；在所述缓冲层、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层时，温度为T，其中，600℃≤T≤800℃；所述提供衬底包括对衬底表面进行清洗处理。
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