甘肃省科学院传感技术研究所宋玉哲获国家专利权
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龙图腾网获悉甘肃省科学院传感技术研究所申请的专利一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112305468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910686333.7，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构是由宋玉哲;韩根亮;张彪;高晓平设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构，包括在基底上制备了由两层铁磁层和中间隔离层构成的MR结构。MR结构的其中一层铁磁层为被钉扎层，其磁化方向将在后续操作中被固定。在MR结构上沉积一层绝缘层之后，再在其上面沉积一层金属层。将金属层光刻为热电阻。在外磁场下，通过热电阻对MR结构进行退火处理。退火完成后，将绝缘层和热电阻移除。本发明克服了现有方法精度低，效率低的弊端，实现工业批量生产。
本发明授权一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构在权利要求书中公布了：1.一种可用于巨磁阻传感器退火的方法，其特征在于，组成步骤如下：1形成一个MR结构，包括：在基片上形成MR结构，MR结构由被钉扎层和自由层中间夹一层非磁性层构成，其中被钉扎层和自由层是铁磁层；在MR结构上沉积绝缘覆盖层；在绝缘层上方沉积热电阻，包括：2在绝缘层上方沉积一层金属层；并且将金属层光刻成热电阻；调整被钉扎层的磁化方向，包括：3外加一个磁场；给热电阻通电流使MR结构温度升至或高于阻挡温度；移除电流：并且移除绝缘层和热电阻。
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