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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种T型纳米栅及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110808207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911106728.1，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权一种T型纳米栅及其制备方法是由顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红设计研发完成，并于2019-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种T型纳米栅及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种T型纳米栅及其制备方法。所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅帽的下表面与中间介质钝化层的上表面接触。本发明提供的T型纳米栅的栅根悬空，不与钝化介质接触，栅帽覆盖于中间介质钝化层上，不但避免了没有介质承托造成的栅剥离时的倒栅，同时也可以减小栅寄生电容，达到了提升器件的频率特性的目的。

本发明授权一种T型纳米栅及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种T型纳米栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a，在基片的上表面自下而上依次生长底层二氧化硅层、氮化硅层和顶层二氧化硅层；所述氮化硅层的厚度不大于预设的T型纳米栅的栅根高度的12；步骤b，在所述顶层二氧化硅层上涂布电子束光刻胶，曝光，显影，得到光刻图形；步骤c，刻蚀光刻图形的窗口下方的顶层二氧化硅层、氮化硅层和底层二氧化硅层，形成条形栅槽；步骤d，利用硅化合物的腐蚀液对形成了条形栅槽的底层二氧化硅层、氮化硅层和顶层二氧化硅层进行腐蚀，得到栅电极窗口；其中，所述硅化合物的腐蚀液对二氧化硅和氮化硅的腐蚀速率的比值大于预设值；所述预设值为3:1；步骤e，蒸发栅金属并剥离，得到T型纳米栅；所述T型纳米栅包括栅根和栅帽，所述T型纳米栅生长于具有三层介质钝化层的基片上，所述三层介质钝化层包括底层介质钝化层、中间介质钝化层和顶层介质钝化层；所述底层介质钝化层为二氧化硅层，所述中间介质钝化层为氮化硅层，所述顶层介质钝化层为二氧化硅层；所述栅根穿过中间介质钝化层生长于基片上，且栅根与底层介质钝化层不接触，所述栅帽的下表面与中间介质钝化层的上表面接触。

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