台湾积体电路制造股份有限公司庄学理获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于制造存储器件的方法和集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910911643.4，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权用于制造存储器件的方法和集成电路是由庄学理;徐振斌;王宏烵;游文俊;陈胜昌;涂淳琮;蔡俊佑;黄胜煌设计研发完成，并于2019-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造存储器件的方法和集成电路在说明书摘要公布了：一些实施例涉及用于制造存储器件的方法。该方法包括形成设置在介电层上方的第一掩模层，第一掩模层具有侧壁，该侧壁限定设置在位于嵌入式存储区域中的磁阻式随机存取存储器MRAM单元之上的开口。实施第一蚀刻以在MRAM单元之上的介电层内形成第一通孔开口。在MRAM单元和介电层上方形成顶部电极通孔层。对顶部电极通孔层实施第一平坦化工艺以去除顶部电极通孔层的一部分并且限定具有基本平坦顶面的顶部电极通孔。本发明的实施例还涉及集成电路。
本发明授权用于制造存储器件的方法和集成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于制造存储器件的方法，包括：形成设置在介电层上方的第一掩模层，其中，所述第一掩模层具有侧壁，所述侧壁限定设置在位于嵌入式存储区域中的磁阻式随机存取存储器单元之上的开口，其中，所述磁阻式随机存取存储器单元包括顶部电极、底部电极以及设置在所述顶部电极和所述底部电极之间的磁隧道结；在所述磁阻式随机存取存储器单元之上的所述介电层内形成第一通孔开口；在所述磁阻式随机存取存储器单元和所述介电层上方形成顶部电极通孔层；对所述顶部电极通孔层实施第一平坦化工艺以去除所述顶部电极通孔层的一部分，并限定具有基本平坦顶面的顶部电极通孔；在所述顶部电极通孔上方形成第一导电通孔，其中，所述顶部电极通孔的最大宽度小于所述顶部电极的最大宽度，并且所述第一导电通孔的最大宽度大于所述顶部电极通孔的所述最大宽度。
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