中国电子科技集团公司第十三研究所吕元杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911231606.5，技术领域涉及：H01L29/872；该发明授权肖特基二极管及其制备方法是由吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红;马春雷;徐森峰设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层；在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层；其中，所述掩膜层具有倾斜的侧壁，所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合；对器件正面进行干法刻蚀，直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除，在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构；去除器件表面残留的掩膜层，对器件正面进行高温退火处理，在n型氧化层中形成热氧化处理区；制备阴极金属层。采用上述制备方法可以提高制备的器件的击穿电压。
本发明授权肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层；在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层；其中，所述掩膜层具有倾斜的侧壁，所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合；对器件正面进行干法刻蚀，直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除，在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构；其中，所述斜面结构所在的平面与接触面之间的夹角为钝角；所述接触面为所述阳极金属层与所述n型氧化镓层接触的一面；去除器件表面残留的掩膜层，对器件正面进行高温退火处理，在n型氧化层中形成热氧化处理区，其中，所述热氧化处理区为阳极金属层所对应区域以外的区域；制备阴极金属层。
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