上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司范春晖获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司申请的专利图像传感器结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111293132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010107639.5,技术领域涉及:H01L27/146;该发明授权图像传感器结构是由范春晖设计研发完成,并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种图像传感器结构,包括:衬底,设于所述衬底上的浅槽隔离区,依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区,以及设于靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区表面上的导电层;其中,在粒子照射下,所述导电层中产生负电荷,用于与所述浅槽隔离区的填充材料中产生的正电荷相互抵消,从而可避免靠近浅槽隔离区的硅衬底表面产生暗电流。
本发明授权图像传感器结构在权利要求书中公布了:1.一种图像传感器结构,其特征在于,包括:衬底,设于所述衬底上的浅槽隔离区,依次位于所述浅槽隔离区之间的光电二极管、传输晶体管和浮置扩散区,以及设于靠近所述光电二极管一侧的所述浅槽隔离区表面上的导电层;其中,所述导电层至少覆盖所述浅槽隔离区,在粒子照射下,所述导电层中产生负电荷,用于与所述浅槽隔离区的填充材料中产生的正电荷相互抵消。
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