中国电子科技集团公司第十三研究所宋旭波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111599747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010386841.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法是由宋旭波;吕元杰;蔚翠;郭建超;冯志红设计研发完成，并于2020-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，制备完成通孔，这样制备通孔的方法对正面工艺制备的介质层或者器件等不会造成破坏，且制备工艺简单。
本发明授权蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，其特征在于，包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，所述刻蚀阻止层采用的刻蚀阻止材料不吸收预设波长的激光；采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，获得通孔；其中，所述将所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，包括：在所述蓝宝石衬底背面的所述通孔内进行湿法刻蚀，将所述通孔对应的刻蚀阻止层去除。
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