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龙图腾网获悉芯天下技术股份有限公司申请的专利串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112131144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011036444.2，技术领域涉及：G06F12/0862；该发明授权串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法是由黄亚龙;徐光明;虞安华设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法，包括当串行接口NAND存储芯片接收页读取命令时，将页读取命令对应的页数据读取到第一高速缓存器；当页数据读取完成时，设置OIP等于0，预读取下一页的页数据到第二高速缓存器；当串行接口NAND存储芯片接收新页读取命令时，获取页读取命令对应的待读取页的第一页地址以及新页读取命令对应的待读取页的第二页地址，当第二页地址为第一页地址的下一页地址且下一页的页数据预读取完成，则设置OIP等于0，将下下一页的页数据预读取到第一高速缓存器。本发明提高了外部主控对串行接口NAND存储芯片中数据连续读取的速度，在读取页数量越多时，速度提升越明显。

本发明授权串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法在权利要求书中公布了：1.一种从串行接口NAND存储芯片中读取数据的方法，所述串行接口NAND存储芯片包括第一高速缓存器、第二高速缓存器、CPU、NAND闪存，其特征在于，所述方法包括：当串行接口NAND存储芯片通过SPI接口接收到页读取命令时，通过DMA方式将所述页读取命令对应的页数据读取到所述第一高速缓存器；当所述页数据读取完成时，设置OIP等于0，并在外部主控从第一高速缓存器上读取所述页数据的同时立即通过DMA方式预读取下一页的页数据到所述第二高速缓存器，无需等到Flash接收到外部主控发送的PageReadtoCache的命令后才把FLASH中的数据给搬送到高速缓存器上；当串行接口NAND存储芯片通过所述SPI接口接收到新的页读取命令时，获取所述页读取命令对应的待读取页的第一页地址以及所述新的页读取命令对应的待读取页的第二页地址，检测所述第二页地址是否为第一页地址的下一页地址；若所述第二页地址为第一页地址的下一页地址，且所述下一页的页数据预读取完成，则设置OIP等于0，在外部主控从第二高速缓存器上读取所述下一页的页数据的同时将下下一页的页数据预读取到第一高速缓存器，无需等到Flash接收到外部主控发送的PageReadtoCache的命令后才把FLASH中的数据给搬送到高速缓存器上。

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