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龙图腾网获悉广西大学;五邑大学申请的专利一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011470361.4，技术领域涉及：H01L31/0352；该发明授权一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法是由杨为家;符跃春;王凤鸣;姚娟;何鑫设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法，所述紫三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器包括衬底和FTOITO薄膜，所述FTOITO薄膜涂覆在衬底上，所述FTOITO薄膜的上方固定设有阵列式的柱状结构，该柱状结构由下往上依次为涂覆有碳纳米管网络层、AlN纳米晶薄膜层、NiO纳米晶薄膜层和碳纳米管网络层，所述FTOITO薄膜上方的两侧边设有位置相对的金属电极，并在最上层碳纳米管网络层的两侧镀上同样的金属电极。本发明制备的三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器，该探测器具有尺寸可控、分布均匀性好的优点，提高了器件在恶劣环境下的工作性能；采用无掩膜数字曝光机制备模板，优化制备工艺，更加符合工业化生产的需求。

本发明授权一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三明治结构阵列式多孔紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：1光刻胶纳米柱的制备：将FTOITO薄膜涂覆在衬底上后，在FTOITO薄膜上方旋涂一层光刻胶，再采用无掩膜曝光机进行光刻获得阵列作为样品；2碳纳米管的涂覆：将步骤1制备好的光刻胶纳米柱样品转移至旋涂仪中，在中心位置滴加碳纳米管溶液，进行旋涂使碳纳米管均匀分布后烘干从而获得连续、均匀分布的碳纳米管网络层；3NiO纳米晶的涂覆：向步骤2中涂覆好碳纳米管网络层的样品中心处滴加NiO纳米晶溶液进行旋涂，涂覆若干次后烘干得到NiO纳米晶薄膜层；4AlN纳米晶的涂覆：向步骤2中涂覆好NiO纳米晶薄膜层的样品中心处滴加AlN纳米晶溶液进行旋涂，涂覆若干次后烘干得到AlN纳米晶薄膜层；5碳纳米管的二次涂覆：采用与步骤2相同的工艺在AlN纳米晶薄膜层的上方旋涂碳纳米管网络层；6退火处理：使用快速退火炉在真空或者保护气氛下退火处理，将光刻胶完全分解为二氧化碳和水蒸气，同时使衬底、碳纳米管、NiO纳米晶、AlN纳米晶、碳纳米管之间成良好的键合；7电极的制备：采用无掩膜光刻技术，获得制备电极的区域，然后采用热蒸镀技术在样品上制备金属电极。

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