长鑫存储技术有限公司孔忠获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110750624.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由孔忠;洪海涵设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底内形成多个间隔排布的接触孔；在接触孔内形成接触材料层；在接触材料层和基底上形成位线材料层；去除部分位线材料层和部分接触材料层，以形成位线结构,位线结构包括剩余的位线材料层构成的位线层以及剩余的接触材料层构成的接触层，接触层位于接触孔内，位线层跨越接触孔以及接触孔外的基底。本发明可以有效降低位线结构的高度，从而有效防止位线结构在之后的制成过程中倾斜或倒塌。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底内形成多个间隔排布的接触孔；在所述接触孔内形成接触材料层；在所述接触材料层和所述基底上形成位线材料层；去除部分所述位线材料层和部分所述接触材料层，以形成位线结构,所述位线结构包括剩余的所述位线材料层构成的位线层以及剩余的所述接触材料层构成的接触层，所述接触层位于所述接触孔内，所述位线层跨越所述接触孔以及所述接触孔外的所述基底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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