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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113839619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110933817.4，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构是由苏国东;王禁城;董洪成;刘军设计研发完成，并于2021-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构在说明书摘要公布了：本发明为一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构，其中通过设置压控振荡器阵列中的输出信号通过片上合路器，将多路压控振荡器输出的功率进行合成，同时提高有源电路，包括压控振荡器阵列以及倍频器电路的输出功率，以提高太赫兹源输出功率；通过提高压控振荡器中的电感的品质因子，以及减小片上合路器的损耗来提高太赫兹源的效率；通过在倍频器电路中设置带阻网络接地，减小频率信号泄露到地，保证信号尽可能从输出端输出，提高功率和效率。

本发明授权一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构在权利要求书中公布了：1.一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构，其特征在于，包括驱动放大器、压控振荡器、倍频链路、切换开关、片上功分器、压控振荡器阵列、倍频器阵列、片上合路器；其中倍频链路通过切换开关与片上功分器连接；切换开关还与压控振荡器连接，切换开关能够在压控振荡器和倍频链路之间实现切换；片上功分器与压控振荡器阵列连接；压控制振荡器阵列包括至少两个压控振荡器，压控振荡器阵列中的压控振荡器相互并联设置；压控振荡器阵列中的每个压控振荡器均通过倍频器阵列中的每个倍频器与片上合路器连接；所述倍频链路包括倍频器和驱动放大器，其中驱动放大器的输入端和输出端均设置有倍频器；当切换开关与倍频链路连接时，驱动放大器能够输出稳定频率的信号；其中驱动放大器与外部的低频锁相环电路或频率综合器电路通过IN口连接，外部的低频锁相环电路或频率综合器电路注入的信号经过倍频链路，并由倍频链路输出；当切换开关与压控振荡器连接时，由压控振荡器输出频率信号以稳定振荡器阵列信号；所述压控振荡器包括晶体管、可变电容、电感以及开关电容阵列；晶体管共四个，均采用mos管；其中pmos管M3以及pmos管M4的源极均与Vdd电压连接；pmos管M3的漏极与pmos管M4的栅极连接，pmos管M4的漏极与pmos管M3的栅极连接；pmos管M3的漏极还与nmos管M1的漏极连接，pmos管M4的漏极还与nmos管M2的漏极连接；电感的两端分别与pmos管M3的漏极以及pmos管M4的漏极连接；开关电容阵列的两端分别与pmos管M3的漏极以及pmos管M4的漏极连接；可变电容Cvar1的一端与pmos管M3的漏极连接，另一端与可变电容Cvar2连接，可变电容Cvar2的另一端与pmos管M4的漏极连接；在可变电容Cvar1和可变电容Cvar2之间输入电压Vtune，电压Vtune为调谐电压，用于实现压控振荡器的频率调谐；nmos管M1以及nmos管M2的源极均接地；nmos管M1的漏极与nmos管M2的栅极连接，nmos管M2的漏极与nmos管M1的栅极连接；其中将pmos管M3的漏极与pmos管M4的漏极分别作为正极输出Vout_Q+以及负极输出Vout_Q-；所述电感为高品质因子电感，高品质因子电感包括电感线圈、谐振环以及衬底，其中谐振环以及电感线圈均设置于衬底上；谐振环设置于电感线圈内侧；谐振环上设置有开口。

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