友达光电股份有限公司王中原获国家专利权
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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111341646.2，技术领域涉及：H01L33/58；该发明授权显示装置是由王中原;江宇涵;林上强设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：本发明提出一种显示装置。显示装置包括基板、第一发光二极管、封装材料以及第一菲涅耳透镜。第一发光二极管位于基板上。封装材料覆盖第一发光二极管。第一菲涅耳透镜位于封装材料上，且重叠于第一发光二极管。第一菲涅耳透镜的宽度为第一发光二极管的宽度的4倍至10倍。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括：一基板；一第一发光二极管，位于该基板上；一封装材料，覆盖该第一发光二极管；以及一第一菲涅耳透镜，位于该封装材料上，且重叠于该第一发光二极管，其中该第一菲涅耳透镜的宽度为该第一发光二极管的宽度的4倍至10倍；一第二发光二极管，位于该基板上，且该封装材料覆盖该第二发光二极管；一第二菲涅耳透镜，位于该封装材料上，且重叠于该第二发光二极管，其中该第二菲涅耳透镜的宽度为该第二发光二极管的宽度的4倍至10倍，且该第二菲涅耳透镜分离于该第一菲涅耳透镜，该第一菲涅耳透镜与该封装材料一体成型，该第二菲涅耳透镜与该封装材料一体成型，该封装材料的厚度为8微米至500微米；以及一黑矩阵，位于该基板上，且环绕该第一发光二极管以及该第二发光二极管，其中该黑矩阵不重叠于该第一菲涅耳透镜以及该第二菲涅耳透镜，该封装材料同时覆盖该第一发光二极管、该第二发光二极管以及该黑矩阵。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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