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龙图腾网获悉北京计算机技术及应用研究所申请的专利一种双路冗余供电自切及恢复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114123466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111382905.6，技术领域涉及：H02J9/06；该发明授权一种双路冗余供电自切及恢复方法是由胡庚;解彦强;陈欢;徐云华设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双路冗余供电自切及恢复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双路冗余供电自切及恢复方法，属于供电切换控制领域。本发明采用理想二级管或门控制电路和“光MOS+磁保持”继电器控制电路来控制“P沟道MOS并联”切换主电路的开通及截止，实现双路冗余供电自主切换及恢复功能。本发明的一种双路冗余供电自切及恢复方法解决了传统的多路供电切换电路中的线路导通压降大，发热功耗较大，大功率电磁继电器体积大、电磁干扰大、抗随机振动应力差等缺点，具有线路压降及热功耗小、体积小、EMI电磁干扰小及抗振动应力强及控制可靠等特点。

本发明授权一种双路冗余供电自切及恢复方法在权利要求书中公布了：1.一种双路冗余供电自切及恢复方法，其特征在于，该方法应用于包括输入EMI滤波电路、理想二级管或门控制电路、“光MOS+磁保持”继电器控制电路、“P沟道MOS并联”切换主电路的电路，输入EMI滤波电路的输出端与理想二级管或门控制电路的输入端连接，理想二级管或门控制电路的输出端其中一路与“P沟道MOS并联”切换主电路的输入端连接，另外一路与“P沟道MOS并联”切换主电路的输出端连接，“光MOS+磁保持”继电器控制电路的输入端与输入EMI滤波电路的输出端连接，“光MOS+磁保持”继电器控制电路的输出端与“P沟道MOS并联”切换主电路的输入端连接；弹上电池供电Va1与地面电源供电Va2分别进入输入EMI滤波电路1a和输入EMI滤波电路1b中进行输入共模信号及差模信号滤波；弹上电池供电Va1经输入EMI滤波电路1a后输出电压Vb1，地面电源供电Va2经输入EMI滤波电路1b后输出电压Vb2；EMI输入滤波电路的输出电压Vb1和Vb2分别送入理想二级管或门控制电路，理想二极管控制器U1通过输入电压Vb1检测及电荷泵作用保持其GATE与SOURCE引脚间电压为12V左右，经栅极驱动电阻R1和栅极驱动电阻R2分别驱动N沟道场效应管S1和N沟道场效应管S2饱和导通后输出Vc；理想二极管控制器U1通过检测其IN端与OUT端之间的电压差来调节控制N沟道场效应管S1和N沟道场效应管S2的导通电阻，确保线路保持低压降；同理，理想二极管控制器U2通过输入电压Vb2检测及电荷泵作用保持其GATE与SOURCE引脚间电压为12V左右，经栅极驱动电阻R4和栅极驱动电阻R5分别驱动N沟道场效应管S3和N沟道场效应管S4饱和导通后输出Ve；“光MOS+磁保持”继电器控制电路中，磁保持继电器JB1的线圈控制端J1、线圈控制端J2分别通过限流电阻R7、限流电阻R8上拉至直流输入电压Vb1和Vb2，整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5及整流二极管D6起隔离及钳位作用；续流二极管D7和续流二极管D8分别反向并联在磁保持继电器JB1的线圈控制端J2和线圈控制端J1的两端，消除线圈的反向尖峰电动势从而减小电磁辐射干扰；光MOS继电器JG1的输出端1OUT和2OUT分别连接控制磁保持继电器JB1的线圈控制端J1和线圈控制端J2，输入控制信号Ctrl-ON经限流电阻R9、滤波电容C11后连接光MOS继电器JG1的输入控制端1IN，输入控制信号Ctrl-OFF经限流电阻R10、滤波电容C12后连接光MOS继电器JG1的输入控制端2IN；磁保持继电器的后激励初始态为触点K1-1端连接触点K1-2端，触点K2-1端连接触点K2-2端，此时输出Vd拉至地电平；当输入控制信号Ctrl-OFF为200mS高脉冲电平有效时，磁保持继电器JB1的线圈控制端J2加电，磁保持继电器的触点状态发生翻转，触点K1-1端连接触点K1-3端，触点K2-1端连接触点K2-3端，此时输出Vd悬空；当输入控制信号Ctrl-ON为200mS高脉冲电平有效时，磁保持继电器JB1的线圈控制端J1加电，磁保持继电器的触点状态再次发生翻转恢复为后激励初始态，触点K1-1端连接触点K1-2端，触点K2-1端连接触点K2-2端，此时输出Vd拉至地电平；“P沟道MOS并联”切换主电路中，输入电压Vc经分压电阻R11和分压电阻R12分压限流后再经稳压二极管D9和储能滤波电容C13稳压滤波后送至P沟道场效应管S5，P沟道场效应管S6，P沟道场效应管S7以及P沟道场效应管S8的栅源极电压，控制其导通和截止；当输入Vd拉至地电平时，P沟道场效应管S5，P沟道场效应管S6，P沟道场效应管S7以及P沟道场效应管S8导通，当输入Vd悬空时，P沟道场效应管S5，P沟道场效应管S6，P沟道场效应管S7以及P沟道场效应管S8截止；其中，理想二级管或门控制电路中，在第一条支路中，瞬态抑制二极管D1的阴极与输入高端Vb1连接，瞬态抑制二极管D1的阳极与理想二极管控制器U1的Vss端连接，理想二极管控制器U1的IN端和输入高端Vb1连接，理想二极管控制器U1的SOURCE端分别与输入高端Vb1、N沟道场效应管S1的源极、N沟道场效应管S2的源极连接，N沟道场效应管S1的栅极与栅极驱动电阻R1的一端连接，N沟道场效应管S2的栅极与栅极驱动电阻R2的一端连接，栅极驱动电阻R1的另一端分别与栅极驱动电阻R2的另一端、理想二极管控制器U1的GATE端连接，N沟道场效应管S1的漏极分别与N沟道场效应管S2的漏极、理想二极管控制器U1的OUT端、限流电阻R3的一端、输出高端Vc连接，限流电阻R3的另一端分别与理想二极管控制器U1的VDD端、滤波电容C9的一端连接，滤波电容C9的另一端与理想二极管控制器U1的VSS端连接；在第二条之路中，瞬态抑制二极管D2的阴极与输入高端Vb2连接，瞬态抑制二极管D2的阳极与理想二极管控制器U2的Vss端连接，理想二极管控制器U2的IN端和输入高端Vb2连接，理想二极管控制器U2的SOURCE端分别与输入高端Vb2、N沟道场效应管S3的源极、N沟道场效应管S4的源极连接，N沟道场效应管S3的栅极与栅极驱动电阻R4的一端连接，N沟道场效应管S4的栅极与栅极驱动电阻R5的一端连接，栅极驱动电阻R4的另一端分别与栅极驱动电阻R5的另一端、理想二极管控制器U2的GATE端连接，N沟道场效应管S3的漏极分别与N沟道场效应管S4的漏极、理想二极管控制器U2的OUT端、限流电阻R6的一端、输出高端Ve连接，限流电阻R6的另一端分别与理想二极管控制器U2的VDD端、滤波电容C10的一端连接，滤波电容C10的另一端与理想二极管控制器U2的VSS端连接。

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