武汉华星光电半导体显示技术有限公司靳增建获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利触控显示面板及其触控点测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114089874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111373156.0,技术领域涉及:G06F3/044;该发明授权触控显示面板及其触控点测量方法是由靳增建;马亚龙设计研发完成,并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本触控显示面板及其触控点测量方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种触控显示面板及其触控点测量方法,该触控显示面板包括相邻设置的第一显示区域和第二显示区域,且在第一显示区域中存在与第二显示区域邻近的第一子显示区域,在第二显示区域中存在与第一显示区域邻近的第二子显示区域,第一显示区域和第二子显示区域与第一触控芯片连接,第二显示区域和第一子显示区域与第二触控芯片连接,这样在获取第一子显示区域中的触控点坐标,需要第二子显示区域中的触控点坐标共同计算时,数据可以均由第一触控芯片获取,而在获取第二子显示区域中的触控点坐标,需要第一子显示区域中的触控点坐标共同计算时,数据可以均由第二触控芯片获取,从而保证数据来源的统一性,使得数据误差一致,提高了计算线性度。
本发明授权触控显示面板及其触控点测量方法在权利要求书中公布了:1.一种触控点测量方法,用于一种触控显示面板,所述触控显示面板包括相邻设置的第一显示区域和第二显示区域,位于所述第一显示区域中的第一子显示区域与位于所述第二显示区域中的第二子显示区域相邻设置;触控层,包括多个触控电极,多个所述触控电极位于所述第一显示区域和所述第二显示区域中;以及至少两个触控芯片,包括第一触控芯片和第二触控芯片,所述第一触控芯片分别与位于所述第一显示区域和所述第二子显示区域中的多个所述触控电极连接,所述第二触控芯片分别与位于所述第二显示区域和所述第一子显示区域中的多个所述触控电极连接,其特征在于,所述触控点测量方法包括:通过第一触控芯片获取第一显示区域和第二子显示区域中的触控点对应的电容值变化量,并通过第二触控芯片获取第二显示区域和第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量;根据所述第一触控芯片和所述第二触控芯片分别获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量,获取所述第一子显示区域中的触控点的实际电容值变化量;其中,所述根据所述第一触控芯片和所述第二触控芯片分别获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量,获取所述第一子显示区域中的触控点的实际电容值变化量,具体包括:若所述第一触控芯片和所述第二触控芯片分别获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量之间的差值不大于预设阈值,则将所述第二触控芯片获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量,作为所述第一子显示区域中的触控点的实际电容值变化量;若所述第一触控芯片和所述第二触控芯片分别获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量之间的差值大于预设阈值,则将所述第一触控芯片和所述第二触控芯片分别获取的所述第一子显示区域中的触控点对应的电容值变化量的平均值,作为所述第一子显示区域中的触控点的实际电容值变化量;根据所述第一子显示区域中的触控点的实际电容值变化量,以及所述第二触控芯片获取的所述第二显示区域中的触控点对应的电容值变化量,确定所述第二子显示区域中的目标触控点的坐标。
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