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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利背光模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114035375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111399134.1，技术领域涉及：G02F1/13357；该发明授权背光模组是由杨超群设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本背光模组在说明书摘要公布了：本发明提供一种背光模组，该背光模组包括背板、位于背板上的Mini‑LED背光源、以及位于Mini‑LED背光源上的光波导层，光波导层包括反射型纳米结构和覆盖反射型纳米结构的半透射半反射膜层；Mini‑LED背光源包括阵列设置的Mini‑LED芯片和覆盖Mini‑LED芯片的封装层，反射型纳米结构包括光偶进单元和光偶出单元，光偶进单元与Mini‑LED芯片出光面的中心位置对位设置，光偶出单元位于Mini‑LED芯片的两侧；Mini‑LED背光源还包括与Mini‑LED芯片同层设置的反射块，且反射块位于相邻Mini‑LED芯片之间；本发明利用光波导层解决LED芯片的发光存在中心灯口较周边区域亮度差的问题，以此提高背光模组出光品质，还利用反射块提高背光模组的出光效率。

本发明授权背光模组在权利要求书中公布了：1.一种背光模组，其特征在于，包括背板、位于所述背板上的Mini-LED背光源、以及位于所述Mini-LED背光源上的光波导层，所述光波导层包括反射型纳米结构和覆盖所述反射型纳米结构的半透射半反射膜层；所述Mini-LED背光源包括阵列设置的Mini-LED芯片和覆盖所述Mini-LED芯片的封装层，所述反射型纳米结构包括光偶进单元和光偶出单元，所述光偶进单元与所述Mini-LED芯片出光面的中心位置对位设置，所述光偶出单元位于所述Mini-LED芯片的两侧；所述光偶进单元用于出射光线至所述半透射半反射膜层，所述半透射半反射膜层的上表面用于半透半反射所述光偶进单元出射的光线，所述半透射半反射膜层的下表面和所述光偶出单元用于反射所述半透射半反射膜层的上表面反射的光线；所述光偶进单元、所述光偶出单元设置于所述半透射半反射膜层的下表面，且所述光偶进单元的下表面、所述光偶出单元的下表面和所述半透射半反射膜层的下表面处于同一平面内。

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