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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111488447.4，技术领域涉及：H01L31/18；该发明授权一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法是由张帅;高伟;霍能杰;李京波设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMAAuWS2SiO2Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到AuWS2SiO2Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。

本发明授权一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.分别使用丙酮、异丙醇和去离子水清洗SiO2Si衬底，在SiO2Si上表面光刻电极图案，并在其表面电子束蒸镀Au电极，制得附有Au电极的SiO2Si；S2.通过胶带机械剥离WS2单晶至洗净的SiO2Si衬底上，获得二维层状WS2纳米片；S3.将PMMA溶液滴加到附有Au电极的SiO2Si上进行旋涂，使PMMA溶液均匀分布在Au电极的SiO2Si上，在100～200℃加热，得到PMMAAuSiO2Si；S4.将PMMAAuSiO2Si放入KOH溶液中在60～70℃加热，取出清后将附有Au的PMMA膜与SiO2Si分离，将附有Au的PMMA膜载于载玻片上，在显微镜下移动至SiO2Si衬底的WS2纳米片上；在100～200℃加热，然后将PMMAAuWS2SiO2Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理20～60min，得到AuWS2SiO2Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。

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