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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种新型InP纳米线阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115367698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617314.0，技术领域涉及：B82B3/00；该发明授权一种新型InP纳米线阵列及其制备方法是由李国强;郭建森;曾庆浩;莫由天;刘红斌设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型InP纳米线阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料领域，公开了一种新型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印，得到具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版InP基板，再用紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化，并清洗干净，然后蒸镀无机薄膜，再用显影液进行清洗，保留了所需图案化的无机薄膜掩模版，再进行刻蚀，制备纳米线阵列结构，再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除，即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米线阵列排列更加均匀有序，通过调整纳米线阵列的排列，可以实现对不同波长光的光工程管理，从而大幅度提高使用特定波长的光能器件的性能。

本发明授权一种新型InP纳米线阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型InP纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在InP基板其中一面旋涂增粘剂层，在压印模具其中一面旋涂抗黏剂形成防粘连层，所述压印模具带有光栅线和掩模版图案；步骤二，在步骤一的增粘剂层上旋涂纳米压印胶层，并将所述纳米压印胶层加热至软化，将所述压印模具旋涂有所述防粘连层的一面对所述纳米压印胶层进行压印，在所述纳米压印胶层上形成具有多个光栅线和掩模版图案组成的纳米压印图形，得到纳米压印胶掩模版InP基板；步骤三，将步骤二纳米压印胶掩模版InP基板整体冷却，通过紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化，再进行脱模分离，然后用清洗液将已固化区域清洗干净；步骤四，在步骤三脱模、清洗后的纳米压印胶掩模版InP基板的纳米压印胶层表面蒸镀上无机薄膜，所述无机薄膜还覆盖了所述掩模版图案覆盖的区域，然后放入显影液中，洗去所述光栅线覆盖着的增粘剂层、防粘连层、纳米压印胶层及所述纳米压印胶层上的无机薄膜，只保留所述掩模版图案覆盖区域上的无机薄膜，得到无机薄膜掩模版InP基板；步骤五，以步骤四无机薄膜掩模版InP基板上的无机薄膜作为阻挡层，进行刻蚀，制备与所述掩模版图案形状一致的InP纳米线阵列结构，然后将所述InP纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除，即得到新型InP纳米线阵列；步骤五所述刻蚀工艺如下：将步骤四所述无机薄膜掩模版InP基板放入干刻设备中，设置反应腔室压力为10-1～10Pa，射频电源为90～120W，并通入流量为7～12sccm的三氟甲烷气体、四氟甲烷气体或者六氟甲烷气体，进行刻蚀28～35min。

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