TCL环鑫半导体(天津)有限公司赵晓丽获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL环鑫半导体(天津)有限公司申请的专利一种掺杂多晶硅生产用通气结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN221344773U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202322786291.9,技术领域涉及:C30B28/12;该实用新型一种掺杂多晶硅生产用通气结构是由赵晓丽;张馨予;杜宏强;刘丽媛;杜晓辉;黄鑫;王鑫;邢锡祥;于波;王维;印小松;戴明磊;郑志远;高雪峰设计研发完成,并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂多晶硅生产用通气结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种掺杂多晶硅生产用通气结构,包含若干与反应腔进气口连通的管道,其中,有一个管道与其它所有管道互通连接;且所有管道在通入反应腔进气口之前汇入同一管道,并通过同一管道与反应腔进气口连通。本申请一种掺杂多晶硅生产用通气结构,管路设计简单且布局合理,可将所有气体在通入反应腔之前即可混合均匀,不仅可保证反应腔内掺杂多晶硅生产所用混合气体的纯度,而且还可保证任一管路流通的通畅性、连续性和稳定性,提高混合效率,保证掺杂多晶硅膜厚生长的均匀性。
本实用新型一种掺杂多晶硅生产用通气结构在权利要求书中公布了:1.一种掺杂多晶硅生产用通气结构,其特征在于,包含若干与反应腔进气口连通的管道,其中,有一个管道与其它所有管道互通连接;且所有管道在通入反应腔进气口之前汇入同一管道,并通过同一管道与反应腔进气口连通。
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