无锡市查奥微电子科技有限公司陈蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市查奥微电子科技有限公司申请的专利一种高沟道迁移率碳化硅MOS管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221352752U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322884232.5，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种高沟道迁移率碳化硅MOS管是由陈蕾;胡健峰;何海洋;梁金设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高沟道迁移率碳化硅MOS管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS管技术领域，具体的公开了一种高沟道迁移率碳化硅MOS管，包括采用沟槽结构的碳化硅材质的场效应管，场效应管上下两部分别为利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的MOS管主体以及用于连接的引脚，MOS管主体下表面安装有底片，底片边缘处滑动插设有若干保护杆，保护杆的下端延伸至引脚下端的端部并共同连接有保护片；本实用新型中简化了零部件数量以及结构，从而解决了传统的碳化硅MOS管整体尺寸较大的缺陷，且本方案中人员仅需对一个步骤即对保护片进行推动便可完成对引脚的收纳保护，而传统方案则需要先对两个按钮同步按压后才能通过推送开关把MOS管的引脚推出，即本方案有效的提升了使用时的便捷性。
本实用新型一种高沟道迁移率碳化硅MOS管在权利要求书中公布了：1.一种高沟道迁移率碳化硅MOS管，包括采用沟槽结构的碳化硅材质的场效应管（1），其特征在于，所述场效应管（1）上下两部分别为利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的MOS管主体（101）以及用于连接的引脚（102），MOS管主体（101）下表面安装有底片（2），底片（2）边缘处滑动插设有若干保护杆（3），保护杆（3）的下端延伸至引脚（102）下端的端部并共同连接有保护片（4），保护片（4）内部对应引脚（102）设有若干穿设口（11），底片（2）内部安装有环形的并具有弹性的防滑环（5），防滑环（5）外环面抵接在若干保护杆（3）的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡市查奥微电子科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼1503；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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