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龙图腾网获悉纽威仕微电子(无锡)有限公司申请的专利MEMS水听器芯片的扇出型封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107758604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711069969.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS水听器芯片的扇出型封装结构及方法是由孙跃;林挺宇;徐庆泉;林海斌;赵晓宏设计研发完成，并于2017-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS水听器芯片的扇出型封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，以解决现有技术中MEMS水听器芯片封装工艺封装尺寸过大，可靠性不够好以及工艺复杂，成本高的问题，包括：RDL布线层，MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中，此外本发明还提供了MEMS水听器芯片的扇出型封装方法。

本发明授权MEMS水听器芯片的扇出型封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.MEMS水听器芯片的封装结构，其特征在于，其包括：RDL布线层，所述RDL布线层包括上表面和与所述上表面相对的下表面；MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中；所述RDL布线层包括第一RDL布线层和堆叠在所述第一RDL布线层之上第二RDL布线层，所述第一RDL布线层的上表面上设有铜柱，所述封装层的顶面与所述铜柱的顶面持平，所述第一RDL布线层和所述第二RDL布线层之间通过铜柱、焊锡连接，所述MEMS水听器芯片贴装在所述第二RDL布线层，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述第一RDL布线层上；所述第二RDL布线层的下表面下设置有焊球下金属和焊球；所述RDL布线层包括金属线路和设置在所述金属线路之间的绝缘介质层，所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件的引脚分别连接所述金属线路，所述铜柱、所述焊球下金属和所述焊球分别连接所述金属线路；所述无源器件包括电阻、电容、电感、滤波器、天线，所述功能芯片包括DSP芯片，所述有源器件包括升压电路，降压电路，驱动电路。

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