三星电子株式会社吴仲健获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110534561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910141074.X,技术领域涉及:H01L29/10;该发明授权半导体器件是由吴仲健;朴星一;朴宰贤;李炯锡;朴恩实;李允逸设计研发完成,并于2019-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案;在鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极;位于第一栅电极的侧壁上并且位于鳍型图案中的源极漏极区域;在衬底上沿第一方向延伸的分隔结构,分隔结构包括第一沟槽并与鳍型图案间隔开,并且分割第一栅电极;位于分隔结构的侧壁上并且覆盖源极漏极区域的层间绝缘层,层间绝缘层包括第二沟槽,第二沟槽的下表面低于第一沟槽的下表面;以及连接到源极漏极区域并且填充第一沟槽和第二沟槽的接触。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案;在所述鳍型图案上沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极;位于所述第一栅电极的侧壁上的源极漏极区域,所述源极漏极区域位于所述鳍型图案中;在所述衬底上沿所述第一方向延伸的分隔结构,所述分隔结构包括第一沟槽,并且所述分隔结构与所述鳍型图案间隔开并分割所述第一栅电极;位于所述分隔结构的侧壁上的层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述源极漏极区域,并且所述层间绝缘层包括第二沟槽,所述第二沟槽的下表面低于所述分隔结构的所述第一沟槽的下表面;以及连接到所述源极漏极区域的接触,所述接触位于所述层间绝缘层上并且位于所述分隔结构上,并且所述接触填充所述分隔结构的所述第一沟槽和所述层间绝缘层的所述第二沟槽,其中,所述接触填充所述第一沟槽的部分在所述第二方向上的宽度小于所述分隔结构在所述第二方向上的宽度。
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