意法半导体(克洛尔2)公司D·迪塔特获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110190064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910132573.2，技术领域涉及：H01L27/12；该发明授权包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺是由D·迪塔特设计研发完成，并于2019-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺。提供一种集成电路，包括衬底，该衬底具有至少一个第一域和与至少一个第一域不同的至少一个第二域。在衬底中仅在至少一个第二域的位置处提供富陷阱区域。至少一个第一域的位置不包括富陷阱区域。
本发明授权包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括衬底，所述衬底包括至少一个第一域和不同于所述至少一个第一域的至少一个第二域，其中所述衬底包含富陷阱区域，所述富陷阱区域存在于所述至少一个第二域的位置中并且不存在于所述至少一个第一域的位置中，其中，所述至少一个第一域包含至少一个非射频组件，并且所述至少一个第二域包含至少一个射频组件，并且其中，所述衬底是绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底在所述至少一个第一域中包括半导体膜、载体衬底的第一部分和位于所述载体衬底的所述第一部分和所述半导体膜之间的掩埋绝缘层，并且所述绝缘体上硅衬底在所述第二域中包括所述载体衬底的第二部分，所述第二部分被所述富陷阱区域覆盖，其中所述半导体膜和所述掩埋绝缘层不延伸到所述至少一个第二域中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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