南京大学赵辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110275077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910572602.7,技术领域涉及:G01R31/00;该发明授权一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法是由赵辉;栾仲智;周礼繁;缪冰锋;吴镝设计研发完成,并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,包括以下步骤:1在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品;2将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接,在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接;3金属块和样品座相连,样品座放入到低温强磁场平台,测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度;4通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围2K~400K内,定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度,测试信号信噪比好,能测到nV量级信号。
本发明授权一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法在权利要求书中公布了:1.一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于包括以下步骤:a、在基片3上生长磁性绝缘体薄膜4和金属薄膜5组成待测样品;b、将待测样品的磁性绝缘体薄膜4一侧用导电银胶2和金属块1粘接,在样品薄膜的金属薄膜5一侧上涂上低温绝缘导热胶6,通过低温绝缘导热胶6将待测样品的金属薄膜一侧和加热贴片电阻7粘接;c、金属块1和样品座12相连,样品座12通过低温强磁场平台样品腔11放入到低温强磁场平台的样品台10,低温强磁场平台9的系统温度即为磁性绝缘体薄膜一侧的温度;d、通过铝线8将贴片电阻7两端引出和印刷电路板14连接进而测试电学信号,贴片电阻7不通入电流时,待测样品金属薄膜5一侧温度与待测样品磁性绝缘体薄膜4温度一致,即低温强磁场平台9的温度;当贴片电阻通入电流时,通过测试此时金属薄膜5的阻值结合金属薄膜5的R-T曲线来确定待测样品金属薄膜5一侧的温度,从而得到最终的温度差;所述待测样品磁性绝缘体薄膜4一侧与金属块1间的银胶均匀涂抹;所述贴片电阻7的加热为稳定加热,低温绝缘导热胶6的导热过程为均匀导热且在低温状态下导热性能良好。
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