中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911176065.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王伟;苏波;胡友存;金吉松设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中心区域及边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；形成覆盖所述中心区域基底表面及所述边缘区域基底表面的核心层；在所述核心层内形成第一凹槽，所述第一凹槽底部露出所述基底表面，所述第一凹槽开口呈矩形，所述矩形的至少一个顶角位于所述中心区域核心层内；在所述第一凹槽侧壁上形成侧墙，所述侧墙呈矩形环状结构；刻蚀去除所述中心区域核心层直至露出基底表面，形成第二凹槽，所述侧墙及所述边缘区域核心层构成初始图形层。本发明能够提高所述初始图形层设计的灵活性，后续以所述初始图形层作为掩膜刻蚀基底形成导电通道，有助于提高导电通道设计的灵活性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区域及边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；形成覆盖所述中心区域基底表面及所述边缘区域基底表面的核心层；在所述核心层内形成第一凹槽，所述第一凹槽底部露出所述基底表面，所述第一凹槽开口呈矩形，所述矩形的至少一个顶角位于所述中心区域核心层内；在所述第一凹槽侧壁上形成侧墙，所述侧墙呈矩形环状结构；刻蚀去除所述中心区域核心层直至露出基底表面，形成第二凹槽，所述侧墙及所述边缘区域核心层构成初始图形层。
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