中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010373406.X，技术领域涉及：H01L29/78；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；位于所述衬底表面的复合纳米线结构，所述复合纳米线结构包括第一区、位于所述第一区上的第二区、以及在垂直于所述衬底表面方向上排列的若干第一纳米线和若干第二纳米线，所述若干第一纳米线位于所述第一区，所述若干第二纳米线位于所述第二区，若干所述第一纳米线之间、若干所述第二纳米线之间、相邻第一纳米线和第二纳米线之间以及所述衬底与第一纳米线之间具有间隙，并且，在所述第一纳米线沟道的延伸方向上，所述第一纳米线的宽度小于所述第二纳米线的宽度；位于所述衬底表面且位于所述复合纳米线结构两侧的源漏掺杂层。从而，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的复合纳米线结构，所述复合纳米线结构包括第一区、位于所述第一区上的第二区、以及在垂直于所述衬底表面方向上排列的若干第一纳米线和若干第二纳米线，所述若干第一纳米线位于所述第一区，所述若干第二纳米线位于所述第二区，若干所述第一纳米线之间、若干所述第二纳米线之间、相邻第一纳米线和第二纳米线之间以及所述衬底与第一纳米线之间具有间隙，并且，在所述第一纳米线沟道的延伸方向上，所述第一纳米线的宽度小于所述第二纳米线的宽度；位于所述衬底表面且位于所述复合纳米线结构两侧的源漏掺杂层；所述源漏掺杂层包括覆盖所述第一区的第一源漏掺杂层，以及覆盖所述第二区的第二源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层内具有第一离子，所述第二源漏掺杂层内具有第二离子，所述第一离子的导电类型与所述第二离子的导电类型相同；所述第二离子的浓度大于所述第一离子的浓度。
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