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龙图腾网获悉西安烽矩电子科技有限公司申请的专利一种基于FBAR振荡器的微波传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111751790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010664354.1，技术领域涉及：G01S7/02；该发明授权一种基于FBAR振荡器的微波传感器是由尹汐漾;霍新平;何婉婧设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于FBAR振荡器的微波传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FBAR振荡器的微波传感器,包括信号收发单元、混频器单元和基于FBAR谐振器的振荡器单元；所述振荡器单元，用于产生单频点信号，并分别传输给信号收发单元和混频器单元；所述信号收发单元，将来自振荡器单元的信号对外发送，并接收检测对象的反射信号，传输给混频器单元；所述混频器单元，将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出；所述振荡器单元包括FBAR谐振器U1、三级管Q1、电感L1、第一电阻R1~第六电阻R6，以及第一电容C1~第三电容C3。本发明提供了一种基于FBAR振荡器的微波传感器，具有高Q值，高精度等优势。

本发明授权一种基于FBAR振荡器的微波传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于FBAR振荡器的微波传感器，其特征在于：包括信号收发单元、混频器单元和基于FBAR谐振器的振荡器单元；所述振荡器单元，用于产生单频点信号，并分别传输给信号收发单元和混频器单元；所述信号收发单元，将来自振荡器单元的信号对外发送，并接收检测对象的反射信号，传输给混频器单元；所述混频器单元，将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出；所述振荡器单元包括：FBAR谐振器U1和三级管Q1；所述FBAR谐振器U1依次通过第四电阻R4和第一电容C1连接到三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极通过第三电阻R3连接到VCC供电端口；所述第三电阻R3和VCC供电端口的公共端依次通过第二电阻R2和第一电阻R1接地；所述第一电阻R1和第二电阻R2的公共端连接到三极管Q1的基极；所述三极管Q1的发射极依次通过第六电阻R6和电感L1接地；所述三极管Q1的集电极还连接有接地的第二电容C2，所述三极管Q1的发射极还连接有并联接地的第三电容C3和第五电阻R5；所述三极管Q1的集电极作为振荡器单元的输出端，分别与信号收发单元和混频器单元连接；所述信号收发单元为天线单元；所述混频器单元包括混频器、滤波器和中频信号输出端口，所述混频器的一路输入端与所述振荡器单元的输出端连接，混频器的另一路输入端与信号收发单元的输出端连接，混频器的输出端通过滤波器与所述中频信号输出端口连接。

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