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龙图腾网获悉西安烽矩电子科技有限公司申请的专利一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111781586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010664315.1，技术领域涉及：G01S13/04；该发明授权一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器是由霍新平;何婉婧;尹汐漾设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器,包括混频器单元、信号收发单元和具有电磁混合耦合滤波器结构的振荡器单元；所述振荡器单元，用于产生单频点信号，并分别传输给信号收发单元和混频器单元；所述信号收发单元，将来自振荡器单元的信号对外发送，并接收检测对象的反射信号，传输给混频器单元；所述混频器单元，将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出。本发明采用电磁混合耦合结构滤波器做振荡器选频电路，结构简单，带宽窄，Q值高，具有高带外抑制，使振荡器有较好的相位噪声，进而提高了传感器的检测精度。

本发明授权一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器，其特征在于：包括混频器单元、信号收发单元和具有电磁混合耦合滤波器结构的振荡器单元；所述振荡器单元，用于产生单频点信号，并分别传输给信号收发单元和混频器单元；所述信号收发单元，将来自振荡器单元的信号对外发送，并接收检测对象的反射信号，传输给混频器单元；所述混频器单元，将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出；所述振荡器单元包括电磁混合耦合滤波器U1和三极管Q1，所述三极管Q1的集电极通过第一电阻R1连接到VCC供电端口，所述第一电阻R1和VCC供电端口的公共端通过第一电容C1接地，所述三极管Q1的集电极还分别通过第二电容C2和第四电容C4接地；所述三极管Q1的基极通过第三电容C3接地，三级管Q1的发射极直接接地；所述电磁混合耦合滤波器U1的一端与三极管Q1的基极连接，电磁混合耦合滤波器U1的另一端与三极管Q1的集电极连接；所述电磁混合耦合滤波器U1的两端还并联有第二电阻R2；所述三极管Q1的基极作为振荡器单元的输出端，分别与所述信号收发单元和混频器单元连接；所述信号收发单元为天线单元；所述电磁混合耦合滤波器U1包括接地通孔（1）和关于接地通孔（1）对称的两组耦合带线；每一组耦合带线均包括一段电耦合微带线（2）和一段磁耦合微带线（3），在同一组耦合带线中，所述磁耦合微带线（3）的一端与接地通孔（1）连接，另一端与电耦合微带线（2）连接；两段所述的电耦合微带线（2）正对，且两段电耦合微带线（2）的缝隙位于接地通孔（1）的正上方，两段电耦合微带线（2）的缝隙之间产生电耦合；两段磁耦合微带线（3）连接所述接地通孔（1）产生磁耦合，进行形成了电磁耦合混合滤波器U1；其中一条磁耦合微带线（3）上任意一点作为电磁耦合混合滤波器U1的一端连接到三极管Q1的基极，另一条磁耦合微带线（3）上任意一点作为电磁耦合混合滤波器U1的另一端连接到三极管Q1的集电极。

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