华南理工大学徐苗获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011027359.X，技术领域涉及：H01L29/786；该发明授权一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用是由徐苗;徐华;李民;彭俊彪;王磊;邹建华;陶洪设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属氧化物半导体，该金属氧化物半导体为：在含铟的金属氧化物MO‑In2O3半导体中掺入少量稀土氧化物RO作为光生载流子转换中心，形成In2O3xMOyROz半导体材料，其中，x+y+z＝1，0.5≤x＜0.9999，0≤y＜0.5，0.0001≤z≤0.2。本发明通过在含铟的金属氧化物中引入稀土氧化物以形成的金属氧化物半导体，通过利用稀土氧化物中稀土离子半径和氧化铟中的铟离子半径相当的特性以及稀土离子中4f轨道电子结构和铟离子的5s轨道能形成高效的电荷转换中心，以提高其电学稳定性，特别是光照下的稳定性。本发明还提供基于该金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。
本发明授权一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体，其特征在于，该金属氧化物半导体为：在含铟的金属氧化物MO-In2O3半导体中掺入少量稀土氧化物RO作为光生载流子转换中心，形成In2O3xMOyROz半导体材料，其中，x+y+z＝1，0.5≤x＜0.9999，0≤y＜0.5，0.001≤z≤0.05；所述光生载流子转换中心位于材料In2O3xMOyROz的导带底至In2O3xMOyROz的导带底下0.8eV区域。
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