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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种触发式可控硅器件的制备方法及整流装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112271136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011099416.5，技术领域涉及：H01L21/332；该发明授权一种触发式可控硅器件的制备方法及整流装置是由蒋骞苑;赵德益;吕海凤;王允设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种触发式可控硅器件的制备方法及整流装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体保护器件领域，尤其涉及一种触发式可控硅装置的制作方法及整流装置。其中，制备方法，包括：步骤S1，提供一N‑型掺杂的半导体衬底并形成埋层；步骤S2，形成外延层；步骤S3，形成阱区；步骤S4，形成N+掺杂区；步骤S5，形成P+掺杂区；步骤S6，形成栅极氧化层；步骤S7，于N+掺杂区和P+掺杂区上表面形成一第一金属电极，于栅极区上表面形成一第二金属电极，所有第一金属电极与所述第一金属线并联，所有所述第二金属电极与第二金属线并联；步骤S8，形成P+型的掺杂层；步骤S9，形成金属层。本发明的技术方案有益效果在于：降低可控硅器件的触发电压和钳位电压，提高了静电释放的速度，广泛适用于低电压保护的应用。

本发明授权一种触发式可控硅器件的制备方法及整流装置在权利要求书中公布了：1.一种触发式可控硅器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一N-型掺杂的半导体衬底，并在所述半导体衬底的上表面形成N型的埋层；步骤S2，在所述半导体衬底的上表面形成P-型的外延层，并使所述外延层覆盖所述埋层；步骤S3，于所述外延层中，与所述埋层对应的区域形成一P型的阱区，使所述阱区的底部与所述埋层的顶部相接；步骤S4，于所述阱区以及所述外延层中定义栅极区，于位于所述阱区中的所述栅极区的两侧以及位于所述外延层中的所述栅极区朝向所述阱区的一侧定义源区，并于所述源区进行N+掺杂，形成N+掺杂区；步骤S5，于不同所述栅极区相邻的所述N+掺杂区之间进行P+掺杂，形成P+掺杂区；步骤S6，于所述栅极区形成沟槽，使所述沟槽底部位于所述半导体衬底中，于所述沟槽的侧壁和底部形成栅极氧化层后，以栅极材料填充所述沟槽，使所述沟槽、所述阱区以及所述外延层齐平；步骤S7，于所述N+掺杂区和所述P+掺杂区上表面形成一第一金属电极，于所述栅极区上表面形成一第二金属电极，形成一第一金属连线，使所有所述第一金属电极通过所述第一金属连线并联，形成一第二金属连线，使所有所述第二金属电极通过所述第二金属连线并联；步骤S8，于所述半导体衬底背向所述外延层的一面形成P+型的掺杂层；步骤S9，于所述掺杂层背向所述半导体衬底的一面形成金属层。

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