联合微电子中心有限责任公司胡志朋获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利硅光调制器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113960816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011390883.3，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权硅光调制器及其形成方法是由胡志朋;邵斯竹;冯俊波设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅光调制器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种硅光调制器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有多段掺杂区域，每段掺杂区域具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域，且所述各段掺杂区域之间具有间隔；其中，沿所述脊型结构的轴向方向，各段掺杂区域的长度逐渐增大。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上，保持PN结性能参数的稳定，从而保证调制器沿轴向有均匀的特征阻抗和群折射率，进而提高调制器的调制效率、器件带宽及整体性能。
本发明授权硅光调制器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光调制器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有多段掺杂区域，每段掺杂区域具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域，且所述各段掺杂区域之间具有间隔；其中，沿所述脊型结构的轴向方向，各段掺杂区域的长度逐渐增大。
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