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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种高纯度三氯化铟的制备系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112299473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011319214.7，技术领域涉及：B01D7/00；该发明授权一种高纯度三氯化铟的制备系统和方法是由徐成;刘华胜;郭高伟;周声万;戴曲柯设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯度三氯化铟的制备系统和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯度三氯化铟的制备系统，包括套管、升华容器、凝华容器、升华控温结构和凝华控温结构；所述升华容器和凝华容器设于所述套管中，所述升华容器和凝华容器呈开口相对的试管状，且二者可拆卸式密闭连接；所述套管的两端具有投料口和出料口，所述投料口和出料口上设有阀门；所述升华控温结构设于所述升华容器所在处的套管外部，所述凝华控温结构位于所述凝华容器所在处的套管外部；所述套管上还连接有真空泵的接口，以及惰性气体或氮气的接口。本发明还提供一种高纯度三氯化铟的制备方法。本发明中的高纯度三氯化铟的制备系统和方法，其可以获得更高纯度的无水三氯化铟，以便应用在IC行业中。

本发明授权一种高纯度三氯化铟的制备系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯度三氯化铟的制备方法，包括制备系统，其特征在于，所述制备系统包括套管、升华容器、凝华容器、升华控温结构和凝华控温结构；所述升华容器和凝华容器设于所述套管中，所述升华容器和凝华容器呈开口相对的试管状，且二者可拆卸式密闭连接；所述套管的两端具有投料口和出料口，所述投料口和出料口上设有阀门；所述升华控温结构设于所述升华容器所在处的套管外部，所述凝华控温结构位于所述凝华容器所在处的套管外部；所述套管上还连接有真空泵的接口，以及惰性气体或氮气的接口；所述制备方法包括以下步骤：投料：将原料三氯化铟投入升华容器中后连接所述升华容器与所述凝华容器；将所述升华容器和凝华容器置于套管中并关闭套管的阀门，控制所述套管的气压处于-0.1至-0.06Mpa的负压状态；控温：控制所述套管在放置所述升华容器的区域在1至2.5h的时间之内达到300至620℃的温度；控制所述套管在放置所述凝华容器的区域在1.5至2.5h的时间之内达到40至320℃的凝华温度；保温：当达到所述凝华温度之后，在3.5至8.5h的时间内保持所述凝华温度不变，并保持所述套管的气压稳定在负压状态；控温结束后，所述凝华管内凝结的即为成品三氯化铟；当所述凝华温度小于50℃时，所述成品三氯化铟的粉末颗粒直径小于1μm；当所述凝华温度为100至150℃时，所述成品三氯化铟的粉末颗粒直径为1至2mm；当所述凝华温度为150至200℃时，所述成品三氯化铟的粉末颗粒直径为2至3mm。

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